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FDS9926A

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6,5A; 2W; SO8

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FDS9926A
Symbol TME:
FDS9926A

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Technologie
PowerTrench®
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
20V
Drainstrom
6,5A
Verlustleistung
2W
Gehäuse
SO8
Gate-Source Spannung
±10V
Widerstand im Leitungszustand
50mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
9nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.128 g
Zertifikate
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FDS9926A
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st