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FF2MR12KM1HPHPSA1

Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 420A; AG-62MMHB; Idm: 840A

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES

Kennzeichnung des Herstellers:
FF2MR12KM1HPHPSA1
Symbol TME:
FF2MR12KM1HPHPSA1

Technische Daten

Hersteller
INFINEON TECHNOLOGIES
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung
1,2kV
Drainstrom
420A
Gehäuse
AG-62MMHB
Topologie
MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Polarisierung
unipolar
Widerstand im Leitungszustand
4,21mΩ
Drainstrom im Impuls
840A
Technologie
CoolSiC™, SiC
Gate-Source Spannung
-10...23V
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht26 g
Zertifikate
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FF2MR12KM1HPHPSA1
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