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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor
Rückspannung max.	650V
Kollektor-Emitter-Strom	100A
Gehäuse	C5 45mm
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	200A
Technologie	Trench FS IGBT
Mechanische Montage	schraubbar

GD100FFX65C5S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT

Technische Daten