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GD75MLX65L3S

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
GD75MLX65L3S
Symbol TME:
GD75MLX65L3S

Technische Daten

Hersteller
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Topologie
3-Level 1-Phasen Wechselrichter, NTC Thermistor
Rückspannung max.
650V
Kollektor-Emitter-Strom
75A
Gehäuse
L3.1
Elektrische Montage
Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
150A
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht39 g
Zertifikate
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GD75MLX65L3S
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