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IXA90IF650NA

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B


Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
IXA90IF650NA
Symbol TME:
IXA90IF650NA

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Rückspannung max.
650V
Kollektor-Emitter-Strom
90A
Gehäuse
SOT227B
Elektrische Montage
schraubbar
Technologie
XPT™
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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