+1 500 000 Produkte im Angebot

7000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Registrierung

Wir möchten Sie darauf hinweisen, dass es am 23.10.2026 von 20:00 bis 22:00 Uhr (MESZ) zu Problemen beim Zugriff auf die Website und bei Online-Bestellungen kommen kann. Wir entschuldigen uns für die Unannehmlichkeiten.

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	150A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	190A
Verlustleistung	660W
Technologie	NPT
Mechanische Montage	schraubbar

IXDN75N120

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; SOT227B

Technische Daten