IXFN100N50P
Modul; einzelner Transistor; 500V; 75A; SOT227B; schraubbar; 240nC
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN100N50P
Symbol TME:
IXFN100N50P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 75A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 49mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 250A | |
Verlustleistung | 1,04kW | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 240nC | |
Bereitschaftszeit | 200ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.07 g
Zertifikate
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* IXFN100N50PAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st