IXFN180N20
Modul; 200V; 180A; SOT227B; 700W; HiPerFET™; 250ns; schraubbar
NEUHEIT
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN180N20
Symbol TME:
IXFN180N20
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Drain-Source Spannung | 200V | |
Drainstrom | 180A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Widerstand im Leitungszustand | 12,5mΩ | |
Verlustleistung | 700W | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Bereitschaftszeit | 250ns | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* IXFN180N20Anzahl Stück (Vielfache: 300)
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