IXFN26N100P
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 595W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN26N100P
Symbol TME:
IXFN26N100P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1kV | |
Drainstrom | 23A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 390mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 65A | |
Verlustleistung | 595W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 197nC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.04 g
Zertifikate
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