IXFN32N80P
Modul; einzelner Transistor; 800V; 29A; SOT227B; schraubbar; 625W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN32N80P
Symbol TME:
IXFN32N80P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 800V | |
Drainstrom | 29A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,27Ω | |
Drainstrom im Impuls | 250A | |
Verlustleistung | 625W | |
Technologie | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 150nC | |
Bereitschaftszeit | 250ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.98 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st