IXFN340N07
Modul; einzelner Transistor; 70V; 340A; SOT227B; schraubbar; 700W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN340N07
Symbol TME:
IXFN340N07
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 70V | |
Drainstrom | 340A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 4mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 1,36kA | |
Verlustleistung | 700W | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 0,49µC | |
Bereitschaftszeit | 200ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.42 g
Zertifikate
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* IXFN340N07Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 5 stRohr = 10 st