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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	38A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,21Ω
Drainstrom im Impuls	120A
Verlustleistung	1kW
Technologie	HiPerFET™, Polar™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	0,35µC
Bereitschaftszeit	300ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN38N100P

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 1000W

Technische Daten