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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	900V
Drainstrom	33A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,23Ω
Drainstrom im Impuls	80A
Verlustleistung	695W
Technologie	HiPerFET™, Polar™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	230nC
Bereitschaftszeit	300ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN40N90P

Modul; einzelner Transistor; 900V; 33A; SOT227B; schraubbar; 695W

Technische Daten