IXFN50N120SK
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 48A; SOT227B; schraubbar; SiC
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN50N120SK
Symbol TME:
IXFN50N120SK
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 48A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 50mΩ | |
Technologie | SiC | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 115nC | |
Bereitschaftszeit | 54ns | |
Gate-Source Spannung | -5...20V | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.6 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st