IXFN55N50
Modul; einzelner Transistor; 500V; 55A; SOT227B; schraubbar; 625W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN55N50
Symbol TME:
IXFN55N50
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 55A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 80mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 220A | |
Verlustleistung | 625W | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 330nC | |
Bereitschaftszeit | 250ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.7 g
Zertifikate
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* IXFN55N50Anzahl Stück (Vielfache: 300)
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