IXFN66N85X
Modul; einzelner Transistor; 850V; 65A; SOT227B; schraubbar; 830W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN66N85X
Symbol TME:
IXFN66N85X
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 850V | |
Drainstrom | 65A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 65mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 140A | |
Verlustleistung | 830W | |
Technologie | HiPerFET™, X-Class | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 230nC | |
Bereitschaftszeit | 250ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.04 g
Zertifikate
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* IXFN66N85XAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 10 st