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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	63A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	65mΩ
Drainstrom im Impuls	240A
Verlustleistung	780W
Technologie	HiPerFET™, Q3-Class
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	200nC
Bereitschaftszeit	250ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN80N50Q3

Modul; einzelner Transistor; 500V; 63A; SOT227B; schraubbar; 780W

Technische Daten