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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	850V
Drainstrom	90A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	41mΩ
Drainstrom im Impuls	180A
Verlustleistung	1,2kW
Technologie	HiPerFET™, X-Class
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	340nC
Bereitschaftszeit	250ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN90N85X

Modul; einzelner Transistor; 850V; 90A; SOT227B; schraubbar; 1200W

Technische Daten