IXTN120P20T
Modul; einzelner Transistor; -200V; -106A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN120P20T
Symbol TME:
IXTN120P20T
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | -200V | |
Drainstrom | -106A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 30mΩ | |
Drainstrom im Impuls | -400A | |
Verlustleistung | 830W | |
Technologie | TrenchP™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 740nC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±15V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht29.575 g
Zertifikate
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* IXTN120P20TAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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