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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	1,2kV
Drainstrom	15A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,9Ω
Drainstrom im Impuls	34A
Verlustleistung	540W
Technologie	Linear™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	155nC
Bereitschaftszeit	1,83µs
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXTN17N120L

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 15A; SOT227B; schraubbar; 540W

Technische Daten