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Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Drain-Source Spannung | 200V | |
Drainstrom | 340A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Widerstand im Leitungszustand | 3mΩ | |
Verlustleistung | 830W | |
Bereitschaftszeit | 270ns | |
Mechanische Montage | schraubbar |