+1 500 000 Produkte im Angebot

6000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	1,2kV
Drainstrom	120A
Gehäuse	C2 62mm
Topologie	MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	15mΩ
Drainstrom im Impuls	548A
Technologie	SiC
Gate-Source Spannung	-4...20V
Mechanische Montage	schraubbar

MD120HFR120C2S

Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 120A; C2 62mm; Idm: 548A; SiC

Technische Daten