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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 75A | |
Gehäuse | L3 | |
Topologie | 3-phasen Brücke MOSFET, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 25,6mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 250A | |
Verlustleistung | 277W | |
Technologie | SiC | |
Gate-Source Spannung | -4...15V | |
Mechanische Montage | schraubbar |