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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	boost chopper
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	180A
Gehäuse	Y3-DCB
Anwendung	Motoren
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	360A
Verlustleistung	1,13kW
Technologie	NPT
Mechanische Montage	schraubbar

MID200-12A4

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB

Technische Daten