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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	180A
Gehäuse	Y3-DCB
Anwendung	Motoren
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	360A
Verlustleistung	1,13kW
Technologie	NPT
Mechanische Montage	schraubbar

MII200-12A4

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV

Technische Daten