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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	boost chopper
Rückspannung max.	1,7kV
Kollektor-Emitter-Strom	310A
Gehäuse	E2-Pack PFP
Elektrische Montage	Press-Fit
Technologie	Trench
Mechanische Montage	schraubbar

MITA300RF1700PTED

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Trench

Technische Daten