MIXA30W1200TED
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 30A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIXA30W1200TED
Symbol TME:
MIXA30W1200TED
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 30A | |
Gehäuse | E2-Pack | |
Anwendung | Motoren, Photovoltaik | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 75A | |
Verlustleistung | 150W | |
Technologie | Sonic FRD™, XPT™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MIXA30W1200TEDAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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