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MIXA41W1200ED

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 40A

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
MIXA41W1200ED
Symbol TME:
MIXA41W1200ED

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
3-phasen Brücke IGBT
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
40A
Gehäuse
E2-Pack
Elektrische Montage
Press-in PCB
Technologie
XPT™
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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