MSCSM120TAM11CTPAG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 200A; SP6P; Press-in PCB; SiC
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM120TAM11CTPAG
Symbol TME:
MSCSM120TAM11CTPAG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 200A | |
Gehäuse | SP6P | |
Topologie | Halbbrücke MOSFET x3 + Paralleldioden, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 10,4mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 500A | |
Verlustleistung | 1042W | |
Technologie | SiC | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht250 g
Zertifikate
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* MSCSM120TAM11CTPAGAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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