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MTI200WX75GD-SMD

Modul; 75V; 255A; ISOPLUS-DIL™; Trench; Kanal: anreicherungs; 155nC

NEUHEIT

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
MTI200WX75GD-SMD
Symbol TME:
MTI200WX75GD-SMD

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, BJT
Drain-Source Spannung
75V
Drainstrom
255A
Gehäuse
ISOPLUS-DIL™
Widerstand im Leitungszustand
1,3mΩ
Technologie
Trench
Kanal-Art
anreicherungs
Gate-Ladung
155nC
Bereitschaftszeit
42ns
Gate-Source Spannung
15V
Montage
SMD
Anwendung
Automobilbranche
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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MTI200WX75GD-SMD
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