MTI85W100GC-SMD
Modul; 100V; 120A; Gull wing,ISOPLUS-DIL™; 1,2kW; Trench; 88nC
NEUHEIT
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MTI85W100GC-SMD
Symbol TME:
MTI85W100GC-SMD
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, BJT | |
Drain-Source Spannung | 100V | |
Drainstrom | 120A | |
Gehäuse | Gull wing, ISOPLUS-DIL™ | |
Widerstand im Leitungszustand | 4mΩ | |
Verlustleistung | 1,2kW | |
Technologie | Trench | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 88nC | |
Bereitschaftszeit | 45ns | |
Gate-Source Spannung | -15...15V | |
Montage | SMD | |
Anwendung | Automobilbranche |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* MTI85W100GC-SMDAnzahl Stück (Vielfache: 104)
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