MWI100-12A8
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 640W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MWI100-12A8
Symbol TME:
MWI100-12A8
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 110A | |
Gehäuse | E3-Pack | |
Anwendung | Motoren | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 200A | |
Verlustleistung | 640W | |
Technologie | NPT | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* MWI100-12A8Anzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 276.00 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 276.00 EUR
Nettopreis für Mengen von 3 st - 244.00 EURBruttopreis für Mengen von 3 st - 244.00 EUR
Nettopreis für Mengen von 5 st - 219.00 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 219.00 EUR