+1 500 000 Produkte im Angebot
7000 Pakete jeden Tag
+300 000 Kunden aus 150 Ländern
Hersteller: ONSEMI
Hersteller | ONSEMI | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 900V | |
Drainstrom | 149A | |
Gehäuse | PIM20 | |
Topologie | NTC Thermistor, Vienna Rectifier | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 10mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 447A | |
Verlustleistung | 352W | |
Technologie | SiC | |
Gate-Source Spannung | -8...18V | |
Verpackungs-Art | Tray | |
Mechanische Montage | schraubbar |