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Hersteller	ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Rückspannung max.	1kV
Kollektor-Emitter-Strom	450A
Anwendung	für UPS, Wechselrichter
Elektrische Montage	Press-Fit
Gate - Emitter Spannung	±20V
Technologie	SiC
Mechanische Montage	schraubbar

NXH450B100H4Q2F2PG

Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit

Technische Daten