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NXV08V110DB1

Modul; Transistor/Transistor; 80V; APM19-CBC; THT; Ugs: ±20V; Tube

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
NXV08V110DB1
Symbol TME:
NXV08V110DB1

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung
80V
Gehäuse
APM19-CBC
Topologie
3-phasen Brücke MOSFET
Elektrische Montage
THT
Widerstand im Leitungszustand
3,2mΩ
Gate-Source Spannung
±20V
Verpackungs-Art
Tube
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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