STD45N10F7
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD45N10F7
Symbol TME:
STD45N10F7
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | STripFET™ F7 | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 100V | |
Drainstrom | 32A | |
Drainstrom im Impuls | 180A | |
Verlustleistung | 60W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Widerstand im Leitungszustand | 18mΩ | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht0.454 g
Zertifikate
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* STD45N10F7Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st