STGAP2DM
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; Steuerung für Gates; SO16; -4÷4A
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGAP2DM
Symbol TME:
STGAP2DM
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Integrierten Schaltkreises-Typ | driver | |
Topologie | MOSFET Halbbrücke | |
Integrierten Schaltkreises-Art | Steuerung für Gates | |
Gehäuse | SO16 | |
Ausgangsstrom | -4...4A | |
Ausgangsspannung | 1,7kV | |
Anzahl Kanäle | 2 | |
Eigenschafte integrierter Schaltkreise | galvanische Trennung | |
Montage | SMD | |
Betriebstemperatur | -40...125°C | |
Verpackungs-Art | Tube |
Versorgungsspannung
- 3,1...5,5V
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: MOSFET/IGBT-Treiber STMicroelectronics,
* STGAP2DMAnzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 2.35 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 2.35 EUR
Nettopreis für Mengen von 5 st - 2.18 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 2.18 EUR