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STGAP2SICSTR

IC: driver; SiC MOSFET Torsteuerung; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGAP2SICSTR
Symbol TME:
STGAP2SICSTR

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Integrierten Schaltkreises-Typ
driver
Integrierten Schaltkreises-Art
SiC MOSFET Torsteuerung
Gehäuse
SO8-W
Ausgangsstrom
-4...4A
Ausgangsspannung
1,2kV
Anzahl Kanäle
1
Eigenschafte integrierter Schaltkreise
galvanische Trennung
Montage
SMD
Betriebstemperatur
-40...125°C
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Versorgungsspannung
  • 3,1...5,5V
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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