STGE200NB60S
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGE200NB60S
Symbol TME:
STGE200NB60S
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 0,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 150A | |
Gehäuse | ISOTOP | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 400A | |
Verlustleistung | 600W | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.78 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st