STGE200NB60S
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGE200NB60S
Symbol TME:
STGE200NB60S
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 0,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 150A | |
Gehäuse | ISOTOP | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 400A | |
Verlustleistung | 600W | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.78 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module STMicroelectronics,
* STGE200NB60SAnzahl Stück (Vielfache: 1)
25 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 25.72 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 25.72 USD
Nettopreis für Mengen von 2 st - 23.97 USDBruttopreis für Mengen von 2 st - 23.97 USD
Nettopreis für Mengen von 5 st - 22.00 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 22.00 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 20.95 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 20.95 USD
Nettopreis für Mengen von 20 st - 20.25 USDBruttopreis für Mengen von 20 st - 20.25 USD
Nettopreis für Mengen von 50 st - 19.32 USDBruttopreis für Mengen von 50 st - 19.32 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st