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STGF10M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 10A; 30W; TO220FP

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGF10M65DF2
Symbol TME:
STGF10M65DF2

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
10A
Verlustleistung
30W
Gehäuse
TO220FP
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
40A
Montage
THT
Gate-Ladung
28nC
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht1.706 g
Zertifikate
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STGF10M65DF2
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 50 st