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STGF30M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGF30M65DF2
Symbol TME:
STGF30M65DF2

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
30A
Verlustleistung
38W
Gehäuse
TO220FP
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
120A
Montage
THT
Gate-Ladung
80nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht1.71 g
Zertifikate
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STGF30M65DF2
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Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 50 st