STGP30H65DFB2
Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO220AB
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGP30H65DFB2
Symbol TME:
STGP30H65DFB2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 30A | |
Verlustleistung | 167W | |
Gehäuse | TO220AB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 90A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 90nC | |
Verpackungs-Art | Tube |
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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