STGP8NC60KD
Transistor: IGBT; 600V; 8A; 65W; TO220AB
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGP8NC60KD
Symbol TME:
STGP8NC60KD
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 8A | |
Verlustleistung | 65W | |
Gehäuse | TO220AB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 30A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 19nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht1.97 g
Zertifikate
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* STGP8NC60KDAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 50 st