STGSH80HB65DAG
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGSH80HB65DAG
Symbol TME:
STGSH80HB65DAG
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 68A | |
Gehäuse | ACEPACK SMIT | |
Elektrische Montage | SMT | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 269A | |
Verlustleistung | 250W |
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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