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STGW60V60DF

Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO247-3


Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGW60V60DF
Symbol TME:
STGW60V60DF

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
60A
Verlustleistung
375W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
240A
Montage
THT
Gate-Ladung
334nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht4.59 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st