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Hersteller	STMicroelectronics
Transistor-Typ	N-MOSFET x2
Technologie	STripFET™ II
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	20V
Drainstrom	5A
Verlustleistung	1,6W
Gehäuse	SO8
Gate-Source Spannung	±12V
Widerstand im Leitungszustand	40mΩ
Montage	SMD
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs

STS5DNF20V

Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 20V; 5A; 1,6W; SO8

Technische Daten