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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	300V
Drainstrom	220A
Gehäuse	Y3-DCB
Topologie	MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	7,4mΩ
Drainstrom im Impuls	1,16kA
Verlustleistung	1,5kW
Technologie	HiPerFET™
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar

VMM300-03F

Modul; Transistor/Transistor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA

Technische Daten