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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	600V
Drainstrom	50A
Gehäuse	V1-B-Pack
Topologie	1-Phasendiodenbrücke, boost chopper
Elektrische Montage	Steckverbinder FASTON
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,12Ω
Verlustleistung	500W
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar

VUM33-06PH

Modul; Diode/Transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; Ugs: ±20V

Technische Daten