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A2C50S65M2

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
A2C50S65M2
Référence TME:
A2C50S65M2
STMicroelectronics - logo

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, demi-pont IGBT x3, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
650V
Courant du collecteur
50A
Boîtier
ACEPACK™2
Utilisation
moteurs, onduleur
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
100A
Puissance de dissipation
208W
Montage mécanique
vissés
Poids brut50 g
Certificates
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A2C50S65M2
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 77.46 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 77.46 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)