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IXGN200N170

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXGN200N170
Référence TME:
IXGN200N170

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension inverse max.
1,7kV
Courant du collecteur
160A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
1,05kA
Puissance de dissipation
1,25kW
La technologie
NPT
Montage mécanique
vissés
Poids brut30 g
Certificates
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IXGN200N170
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